COG制造工藝至今已有近十年的發(fā)展歷史，它的發(fā)展與IC的小型化、超薄化以及LCD顯示屏光刻精度的精細(xì)化是密不可分的。
 1、COG工藝流程如下所示。        
 LCD顯示屏->將ACF邦貼到屏上->將裸芯片從芯片拖盤中取出->檢查裸芯片的對(duì)位標(biāo)記->檢查LCD屏上對(duì)位標(biāo)記->芯片與LCD屏對(duì)位->熱壓頭將芯片與LCD屏邦貼到一起->整個(gè)邦貼過程完成
 2、工藝要點(diǎn)
（1）邦定IC時(shí)要求IC對(duì)位標(biāo)志與LCD屏上的對(duì)位標(biāo)志吻合；
（2）需用無塵布沾溶劑清除液晶屏上壓著區(qū)的異物，使用UV燈清除液晶屏上壓著區(qū)的有機(jī)物；

（3）ACF貼附精度為+100μM；
（4）要注意ACF的儲(chǔ)存條件和控制好ACF邦定的時(shí)間、熱壓溫度和壓頭的壓力。ACF反應(yīng)率要求達(dá)到80%以上。例如使用日立（HITACHI）公司的AC-8304Y的ACF，其保存條件為：在室溫約25℃和濕度70%RH情況下，有效期1個(gè)月；在溫度-10℃~5℃時(shí)有效期為6個(gè)月。ACF使用工藝條件：貼ACF溫度100±10℃（ACF的實(shí)際溫度），壓強(qiáng)約1Mpa，時(shí)間1~5秒，主壓壓強(qiáng)約50~150Mpa（指每個(gè)IC BUMP上的壓強(qiáng)，根據(jù)ACF中導(dǎo)電球的受壓效果決定壓力的大?。?span lang="EN-US">ACF溫度220±20℃（ACF的實(shí)際溫度），時(shí)間7~10秒。所有ＡＣＦ從冰箱中取出后需在室溫條件下放置１小時(shí)后方可打開包裝；
（5）必須確保前工序光刻工藝的成品率，嚴(yán)格控制斷筆和連筆（主要在IC接口處）；
（6）LCD屏需經(jīng)嚴(yán)格測(cè)試，防止廢品漏測(cè)，造成材料浪費(fèi)及品質(zhì)不良；
（7）顯微鏡下全檢防止斷筆流出，要求IC電極上的導(dǎo)電粒子壓痕至少5個(gè),相鄰BUMP之間不能互相接觸；
（8）COG成品必須100%檢測(cè)；
（9）COG-LCD產(chǎn)品一般多為高密度產(chǎn)品，制造時(shí)要求光刻段的分辨率較高，PI定向膜與摩擦均勻性較好，在線間隙小于15μM時(shí)要求增加TOP（涂覆絕緣層）工藝，以避免短斷路、顯示不均、串?dāng)_和功耗電流大等現(xiàn)象的出現(xiàn)；
（10）COG常見不良品包括：IC異物、IC壓痕不良、ACF貼附不良、IC對(duì)位偏移、IC厚度不均、IC電遇不良、IC破裂/刮傷、IC BUMP不良等。
3、光刻精度
光刻精度是指制作LCD顯示屏?xí)r能夠刻蝕出來的線條和間隙的精細(xì)尺寸，COG產(chǎn)品多為高密度產(chǎn)品，LCD與IC 連接處走線較密。COG產(chǎn)品引線的PITCH(線寬加線間距)值一般在 50μM以下，IC接口線一般在 40μM以下。目前國(guó)內(nèi)已有部分廠家其COG產(chǎn)品的PITCH值控制在 20μM,這意味著其引線或線間隙的加工精度已達(dá)到10μM左右。
4、材料要求
透明導(dǎo)電玻璃(即在平整度好、透光率高、曲翹度很小的玻璃表面鍍上透明導(dǎo)電膜)要求阻值較低，方塊電阻一般在30Ω以內(nèi)，PI（聚酰亞胺、定向材料）、液晶等材料要求純度較高，即電阻率大。
ACF（Anisotropic Conductive Film）是一種各向異性導(dǎo)電膜，在垂直方向?qū)щ?，而在水平方向絕緣。主要組成是粘著劑和導(dǎo)電粒子。
5、潔凈度要求
COG產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求1000級(jí)的潔凈度,即潔凈室里>=0.5微米的粒子濃度<=1000粒/升。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、工藝簡(jiǎn)化。直接將IC邦貼到LCD屏的導(dǎo)電極上，減少了焊接工藝；
2、體積比COB（Chip On Board）大大縮小，更易于小型化、簡(jiǎn)易化和高度集成化。將PCB線路直接制作在LCD屏上，因此廣泛用于需減少體積的便攜式整機(jī)產(chǎn)品，如手機(jī)、PDA、MP3、手表、信息電話、手持式儀器儀表等，并可延伸至TFT后工序；
3、直接將IC倒裝邦貼到LCD屏上，不存在IC變形等問題。

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